삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 지난달 개발했다고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로 노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트)가 쓰인다.

가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과하다. 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다. 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps(Mega-bit Per Second; 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다.”며, “30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다. 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.